STN5PF02V

STMicroelectronics

STN5PF02V

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds412 pF @ 15 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A (Tc)
最大功耗2.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)