STN2NE10

STMicroelectronics

STN2NE10

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds305 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
最大功耗2.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度150°C (TJ)