STN1NK60Z

STMicroelectronics

STN1NK60Z

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 400mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds94 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SuperMESH™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Tc)
最大功耗3.3W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)