STN1N20

STMicroelectronics

STN1N20

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds206 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列MESH OVERLAY™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
最大功耗2.9W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)