STLD125N4F6AG

STMicroelectronics

STLD125N4F6AG

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5600 pF @ 10 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ F6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大功耗130W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6) Dual Side

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)