STL8N6LF3

STMicroelectronics

STL8N6LF3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds668 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
系列STripFET™ F3
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗65W (Tc)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101