STL8N65M2

STMicroelectronics

STL8N65M2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™ M2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
最大功耗48W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6) HV

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)