STL7N6F7

STMicroelectronics

STL7N6F7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT

在产6-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
最大功耗2.4W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (2x2)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)