STL7DN6LF3

STMicroelectronics

STL7DN6LF3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 3A, 10V
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds432pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ III
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Power - Max52W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101