STL6NM60N

STMicroelectronics

STL6NM60N

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs920mOhm @ 2.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds420 pF @ 50 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列MDmesh™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.75A (Tc)
最大功耗70W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFLAT™ (5x5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)