STL62P3LLH6

STMicroelectronics

STL62P3LLH6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3350 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™ H6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
最大功耗100W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

工作温度175°C (TJ)