STL60N32N3LL

STMicroelectronics

STL60N32N3LL

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.2mOhm @ 6.8A, 10V
基础料号STL60
配置2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A, 60A
Power - Max23W, 50W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)