STL4P2UH7

STMicroelectronics

STL4P2UH7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT

停产/老旧6-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 10 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列DeepGATE™, STripFET™ VII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
最大功耗2.4W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerWDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (2x2)

环境

工作温度150°C (TJ)