STL47N60M6

STMicroelectronics

STL47N60M6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 15.5A, 10V
基础料号STL47
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 10 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列MDmesh™ M6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
最大功耗189W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (8x8) HV

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)