STL45N65M5

STMicroelectronics

STL45N65M5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs86mOhm @ 14.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3470 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™ V
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 160W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFLAT™ (8x8)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)