STL3N10F7

STMicroelectronics

STL3N10F7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT

在产6-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds408 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列DeepGATE™, STripFET™ VII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
最大功耗2.4W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerWDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)