STL26N30M8

STMicroelectronics

STL26N30M8

模拟与电源

MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs89mOhm @ 11.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1430 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列MDmesh™ M8
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
最大功耗114W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)