STL24NM60N

STMicroelectronics

STL24NM60N

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs215mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 50 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列MDmesh™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.3A (Ta), 16A (Tc)
最大功耗3W (Ta), 125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (8x8) HV

环境

工作温度150°C(TJ)