STL210N4F7

STMicroelectronics

STL210N4F7

模拟与电源

DISCRETE

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
包装Bulk
产品状态在产
系列STripFET F7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大功耗150W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)