STL13DP10F6

STMicroelectronics

STL13DP10F6

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.7A, 10V
基础料号STL13
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A
Power - Max62.5W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)