STL120N8F7

STMicroelectronics

STL120N8F7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 11.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4570 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ F7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大功耗4.8W (Ta), 140W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)