STL11N3LLH6

STMicroelectronics

STL11N3LLH6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1690 pF @ 24 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大功耗2W (Ta), 50W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)