STL105NS3LLH7

STMicroelectronics

STL105NS3LLH7

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2110 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列DeepGATE™, STripFET™ VII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA (Min)

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C105A (Tc)
最大功耗62.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)