通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | STI6 |
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | MDmesh™ K5 |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 900 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| 最大功耗 | 110W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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