STH80N10LF7-2AG

Name: STH80N10LF7-2AG
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 40A, 10V
基础料号	STH80
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2900 pF @ 25 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101, STripFET™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
最大功耗	110W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)