STH320N4F6-2

STMicroelectronics

STH320N4F6-2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13800 pF @ 15 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
最大功耗300W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
供应商器件封装H²PAK

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)