STFW3N170

Name: STFW3N170
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT

在产TO-3P-3 Full Pack模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13Ohm @ 1.3A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 100 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	PowerMESH™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.6A (Tc)
最大功耗	63W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)