STF9NK90Z

STMicroelectronics

STF9NK90Z

Datasheet

模拟与电源

N-channel 900 V, 1.1 Ohm typ., 8

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 3.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2115 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列SuperMESH™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

电气

漏源电压900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大功耗40W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)