STF28N60DM2

STMicroelectronics

STF28N60DM2

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 10.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
系列MDmesh™ DM2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
最大功耗30W (Tc)

机械

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)