STF22NM60ND

STMicroelectronics

STF22NM60ND

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP

停产/老旧TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 50 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列FDmesh™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
最大功耗30W (Tc)

机械

封装Tube

环境

GradeAutomotive
工作温度150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101