STF18N65DM2

STMicroelectronics

STF18N65DM2

模拟与电源

DISCRETE

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs295mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds965 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大功耗28W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)