STE70NM60

STMicroelectronics

STE70NM60

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

在产ISOTOP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
最大功耗600W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseISOTOP
供应商器件封装ISOTOP®

环境

工作温度150°C(TJ)