STE53NC50

STMicroelectronics

STE53NC50

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP

在产ISOTOP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11200 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列PowerMESH™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A (Tc)
最大功耗460W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseISOTOP
供应商器件封装ISOTOP®

环境

工作温度150°C(TJ)