STE30NK90Z

STMicroelectronics

STE30NK90Z

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

停产/老旧ISOTOP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs490 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列SuperMESH™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 150µA

电气

漏源电压900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
最大功耗500W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseISOTOP
供应商器件封装ISOTOP®

环境

工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)