STDLED625

STMicroelectronics

STDLED625

模拟与电源

MOSFET N-CH 620V 5A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 50 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

电气

漏源电压620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
最大功耗70W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度150°C(TJ)