STD7N95K5AG

STMicroelectronics

STD7N95K5AG

模拟与电源

DISCRETE

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

电气

漏源电压950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
最大功耗110W (Tc)

机械

封装Bulk

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101