STD60NF55LAT4

STMicroelectronics

STD60NF55LAT4

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 60A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗110W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装D-PAK (TO-252)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)