STD5N52U

STMicroelectronics

STD5N52U

模拟与电源

MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 2.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds529 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列UltraFASTmesh™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

电气

漏源电压525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.4A (Tc)
最大功耗70W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)