STD4LN80K5

STMicroelectronics

STD4LN80K5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds122 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™ K5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
最大功耗60W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)