STD45P4LLF6AG

STMicroelectronics

STD45P4LLF6AG

模拟与电源

MOSFET P-CH 40V 50A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 25A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3525 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
最大功耗58W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)