STD26P3LLH6

Name: STD26P3LLH6
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 12A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 6A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 25 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	DeepGATE™, STripFET™ VI
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
最大功耗	40W (Tc)

工作温度	175°C(TJ)