STD20P3H6AG

STMicroelectronics

STD20P3H6AG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 20A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds635 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ F6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗40W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101