STD1NK80ZT4

Name: STD1NK80ZT4
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	16Ohm @ 500mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	160 pF @ 25 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	SuperMESH™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA

漏源电压	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Tc)
最大功耗	45W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)