STD16NF06T4

STMicroelectronics

STD16NF06T4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 15 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗40W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)