STD15N60M2-EP

Name: STD15N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	378mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	590 pF @ 100 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	MDmesh™ M2-EP
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
最大功耗	110W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)