STD155N3LH6

Name: STD155N3LH6
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 40A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3800 pF @ 25 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	DeepGATE™, STripFET™ VI
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
最大功耗	110W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)