STD14NM50NAG

STMicroelectronics

STD14NM50NAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 12A DPAK

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds816 pF @ 50 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列MDmesh™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大功耗90W

环境

GradeAutomotive
工作温度150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101