STB9NK80Z

STMicroelectronics

STB9NK80Z

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1138 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)