STB8N90K5

STMicroelectronics

STB8N90K5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 1.17A, 10V
基础料号STB8N90
FET TypeN-Channel
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™ K5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

电气

漏源电压900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大功耗130W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)