STB45NF06T4

STMicroelectronics

STB45NF06T4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK

已停产TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1730 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列STripFET™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
最大功耗80W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度175°C (TJ)